氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件.pdf

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本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。该氧化层形成方法可包括：提供半导体衬底；基于第一加热温度和第一压力对所述半导体衬底进行第一次热氧化处理，以在所述半导体衬底上形成第一子氧化层；基于第二加热温度和第二压力对所述半导体衬底进行第二次热氧化处理，以在所述第一子氧化层上形成第二子氧化层；其中，所述第二加热温度小于所述第一加热温度，所述第一压力小于或大于所述第二压力。该方案能够提高氧化层的质量和均匀性，以提高半导体器件的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447497 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191