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本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦结构属于半导体加工测试技术领域;所述光学准焦结构在MEMS探针激光刻蚀装置中,将螺旋通槽板用上一字通槽板代替,将直线通槽板用下一字通槽板代替,将单晶硅圆片用相同厚度的平面反射镜代替,所述上一字通槽板上表面与下一字通槽板下表面紧贴;在下一字通槽板和物镜之间,设置有棱镜,在棱镜的侧边缘,设置有图像传感器,沿光轴方向,弧形光源的最高点到棱镜的距离与图像传感器像面到棱镜的距离相同;本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦结构,用在本发明所公开的MEMS探针激光刻蚀
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112453688 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202011378529.9 B23K 26/70 (2014.01)
(22)申请日
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