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2023-05-30 发布于四川
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晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法.pdf

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本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，所述晶圆级自屏蔽封装结构包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，以及屏蔽墙，其中，第二半导体器件包括第一衬底、第一屏蔽层、介质层，以及位于介质层侧壁的第二屏蔽层，屏蔽墙与所述基板上的导电部电性连接，通过在第二半导体器件内部形成第一屏蔽层，结合第二屏蔽层和屏蔽墙，再与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，然后再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112466850 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202011337031.8 H01L 21/56 (2006.01) (22)申请日 2020.11

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