原创力文档- 1、本文档共21页，其中可免费阅读20页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，所述晶圆级自屏蔽封装结构包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，以及屏蔽墙，其中，第二半导体器件包括第一衬底、第一屏蔽层、介质层，以及位于介质层侧壁的第二屏蔽层，屏蔽墙与所述基板上的导电部电性连接，通过在第二半导体器件内部形成第一屏蔽层，结合第二屏蔽层和屏蔽墙，再与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，然后再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112466850 B
(45)授权公告日 2022.07.01
(21)申请号 202011337031.8 H01L 21/56 (2006.01)
(22)申请日 2020.11
文档评论（0）