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栅极氧化层的制作方法及场效应晶体管的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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栅极氧化层的制作方法及场效应晶体管的制作方法.pdf

    本发明提供了一种栅极氧化层的制作方法及场效应晶体管的制作方法。该栅极氧化层的制作方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层，其中，第二栅极氧化层位于第一栅极氧化层靠近衬底的一侧，或第二栅极氧化层位于第一栅极氧化层远离衬底的一侧。通过在衬底上形成两层栅极氧化层，同时解决了氧化层厚度不够的问题以及由于氧化层厚度不均导致晶体管容易漏电或击穿的问题，从而有效改善了器件的可靠性和匹配性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114999907 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210941755.6 (22)申请日 2022.08.08 (71)申请人 合肥新晶集成电路有限公司 地址 2

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