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- 2023-05-30 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅介质层、初始伪栅极层以及位于伪栅介质层和初始伪栅极层侧壁的第一侧墙；在衬底上形成隔离层，隔离层暴露出伪栅极结构表面且表面低于伪栅极结构表面；去除部分初始伪栅极层形成伪栅极层，在隔离层内形成第一开口；对第一开口暴露出的第一侧墙进行改性处理形成改性侧墙；去除第一开口底部的伪栅极层在隔离层内形成第二开口；刻蚀去除第二开口底部的伪栅介质层和改性侧墙在隔离层内形成第三开口，第三开口顶部在平行于衬底表面方向的尺寸大于第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466945 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20191
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