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本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底结构，基底结构自下而上依次包括衬底、底部牺牲层、底部介质层及叠层结构，叠层结构包括在垂直方向上堆叠的多层栅极牺牲层，相邻栅极牺牲层之间设有电介质层；形成垂直沟道结构于基底结构中，垂直沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层的存储叠层；形成栅线缝隙于基底结构中；形成侧墙保护层于栅线缝隙的侧壁，侧墙保护层包括至少三层膜层；去除底部牺牲层，得到底部横向缝隙，底部横向缝隙暴露出垂直沟道结构的一部分侧面。本发明采用多层复合膜结构作为栅线缝隙侧壁的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466887 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011284246.8
(22)申请日 2020.11.17
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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