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- 2023-05-30 发布于四川
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在Si基板上隔着AlN缓冲层生长III族氮化物半导体层时，抑制III族原料扩散至Si基板中。基于本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法具备在炉内形成AlN覆膜的工序(S12)、将Si基板投入至被AlN覆膜覆盖的炉内并在所述Si基板上形成AlN缓冲层的工序(S13、S14A、S14B)以及在AlN缓冲层上形成III族氮化物半导体层的工序(S15)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470260 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201980034452.2 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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