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- 2023-05-30 发布于四川
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本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466903 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010527827.3
(22)申请日 2020.06.11
(30)优先权数据
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