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本发明实施例公开了一种半导体激光器的制备方法，包括：制备半导体激光器的外延结构，在上接触层远离所述衬底的一侧制备第一电极层，在第一电极层远离衬底的一侧制备牺牲层，刻蚀牺牲层、第一电极层、上接触层和部分上光场限制层形成脊形结构，刻蚀剩余部分上光场限制层和牺牲层形成光栅结构，去除牺牲层，在衬底远离中间外延层的一侧制备第二电极层，对外延结构、第一电极层和第二电极层进行划片、解理、镀膜以及裂片工艺，形成半导体激光器。本发明实施例采用一次外延生长技术，且制备过程简单，有效降低半导体激光器制造成本，实现了光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112467518 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011360285.1
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 因林光电科技（苏州）有限公司
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