半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一具有一第一晶格常数的基底、一第一字元线设置于该基底和多个应力区域相邻设置于该第一字元线的侧壁的下部部分。所述多个应力区域具有一第二晶格常数，且该第二晶格常数和该基底的第一晶格常数不同。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447723 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010626680.3 (22)申请日 2020.07.01 (30)优先权数据 16/561,48

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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