半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447726 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010644166.2 H01L 21/8242 (2006.01) (22)申请日