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一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件.pdf

    本发明涉及一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统表面栅薄层SOI‑LDMOS器件上，在埋氧层处额外引入体内栅极并在漂移区引入P型埋层，优点：(1)在正向导通时，该器件的表面与体内同时形成两个导电沟道，使电子的注入能力有很大的提升，从而降低器件的比导通电阻。引入的P型埋层提高了漂移区N型层的浓度进而优化器件的正向导通性能，最终降低器件的比导通电阻。(2)在击穿时，P型埋层优化漂移区的电场强度分布，P型埋层与N型层相互耗尽从而使漂移区发

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420846 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011417175.4 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人 重庆邮电大学 地址

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