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一种提高发光效率的GaN基LED外延结构.pdfVIP

一种提高发光效率的GaN基LED外延结构.pdf

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    本发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构，该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称GAG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、AlxGa1‑xN势垒和GaN势垒构成，AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下，有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力，从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112436078 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011195544.X (22)申请日 2020.10.31 (71

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