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本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法,该发光层由势垒层和量子阱层交替构成,其中按生长顺序,最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层,其它势垒层为GaN势垒层,子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层,y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层,能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高,同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力,以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤,提高芯片质量,采用Al组分渐
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112436081 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202011195588.2 H01L 33/12 (2010.01)
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