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提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法.pdfVIP

提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法.pdf

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    本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112436081 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202011195588.2 H01L 33/12 (2010.01)

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