1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

高密度三维堆叠存储器的互联结构及制备方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约9.08千字
  • 约 13页
  • 2023-05-31 发布于四川
  • 举报

高密度三维堆叠存储器的互联结构及制备方法.pdf

    高密度三维堆叠存储器的互联结构及制备方法，涉及集成电路技术，特别涉及三维半导体存储器技术。本发明的高密度三维堆叠存储器的互联结构包括由导电层和绝缘层交错层叠构成的三维存储结构体和引出结构，所述引出结构与三维存储结构体的刻蚀立面的接触面具有阶梯状边缘线，所述刻蚀立面为三维存储结构体由刻蚀产生的垂直于底面的侧面所在平面。采用本发明技术的构型布线占用芯片面积明显小于现有技术，同时大大降低了水平电极串联电阻。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799216 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211638282.9 (22)申请日 2022.12.20 (71)申请人 成都皮兆永存科技有限公司 地址 6

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >