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MTJ底电极及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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MTJ底电极及其制造方法.pdf

    本发明提供一种MTJ底电极及其制造方法。所述MTJ底电极包括：堆叠设置的底电极衬底层和底电极缓冲层，所述底电极衬底层下表面和底部导电金属直接接触，所述底电极缓冲层的上表面和磁性隧道结接触，其中，所述底电极缓冲层的材料的原子量小于所述底电极衬底层的材料的原子量。本发明能够提高刻蚀选择比，减小后段MTJ刻蚀过程中的金属沉积污染，且溅射到MTJ表面的底电极材料更易清洗。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112531102 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201910884168.6 H10N 50/85 (2023.01)

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