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2023-05-31 发布于四川
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本申请实施例提供了一种补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：获取当前的实际刻蚀深度，判断实际刻蚀深度是否达到目标刻蚀深度；若实际刻蚀深度未达到目标刻蚀深度，基于实际刻蚀深度、目标刻蚀深度、常规刻蚀的刻蚀深度、常规刻蚀的循环执行次数、常规刻蚀各工艺参数的初始值和最终值，计算补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中各工艺参数的数值；基于计算得到的补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中工艺参数的数值，执行补充刻蚀。通过本申请提供的技术方案，在常规刻蚀的刻蚀深度没有达到目标刻蚀深度时，可以自动计算出补充刻蚀所

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112490123 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011315376.3 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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