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本发明提供了一种4T有源像素结构及其工作方法，包括P型衬底、SiO2层、钳位光电二极管PPD、传输晶体管栅极TG、浮动扩散电容FD、复位晶体管栅极RG、复位晶体管漏极RD、源极跟随器Msf、选通晶体管Mrs和列总线col_line。本发明有益效果：本发明在传统4T有源像素的基础上，通过增加FD节点与复位栅极（RG）之间间距，消除了FD跟复位栅极（RG）的交叠电容，降低了FD节点总电容，提升了转换增益；FD与RG之间没有交叠，在工艺中FD区域的长度不会受到FD上方接触孔与RG之间距离要求的限制，F
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115799289 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202310046392.4
(22)申请日 2023.01.31
(71)申请人 天津海芯微电子技术有限公司
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