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2023-05-31 发布于四川
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一种多电子束的光刻设备和光刻方法.pdf

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本发明公开了一种多电子束的光刻设备和光刻方法，该光刻设备包括多激光束阵列器件和多电子束阵列器件，其中，所述多激光束阵列器件包括激光光源、激光平行扩束镜和液晶开关阵列，所述多电子束阵列器件包括阴极、光‑电子转换发射阵列、阳极、加速阳极、磁聚焦阵列、光澜阵列、磁聚焦物镜和样品台。采用本发明提供的多电子束的光刻设备和方法，能够大幅增加可控电子束的数量，增加有效曝光点数量，减少总曝光次数，减少电子束光刻写入时间，大幅提升电子束光刻的效率和吞吐量，有望使多电子束光刻设备超越以光为媒介的传统光刻设备的光刻效

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112485980 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011595497.8 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人中山新诺科技股份有限公司

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