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用于制造蚀刻停止层的方法和包括蚀刻停止层的MEMS传感器.pdfVIP

用于制造蚀刻停止层的方法和包括蚀刻停止层的MEMS传感器.pdf

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    本发明涉及一种用于制造用于氢氟酸HF气相蚀刻工艺的平坦化蚀刻停止层(13)ESL的方法。该方法包括在衬底(10)的表面之上提供第一平坦化层(17)，该第一平坦化层(17)包括图案化及结构化的金属材料(20)和填充材料(22)。该方法还包括在第一平坦化层(17)之上沉积具有低HF蚀刻速率的ESL材料(23)的平坦化ESL(13)，其中，平坦化ESL(13)具有低表面粗糙度和小于150nm，特别是小于100nm的厚度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112512958 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 201980030507.2 (74)专利代理机构 北京柏杉松知识产权代理事

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