横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置.pdf

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本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成漂移区；在所述漂移区中形成阱区和漏区，在所述阱区中形成源区和沟道；执行第一类型的离子注入，以在所述漂移区的底部形成沿所述阱区到所述漏区方向延伸的第一离子注入区；在所述第一离子注入区上方形成若干相互间隔的深沟槽隔离结构和位于相邻深沟槽隔离结构之间的鳍片结构；形成第二离子注入区，以使所述第一离子注入区和所述第二离子注入区交替设置；对鳍片结构的侧壁执行第二类型的离子注入，以在所述鳍片

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112530805 B (45)授权公告日 2022.04.05 (21)申请号 201910884490.9 CN 104377244 A,2015.02.25 (