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具有改善的底部覆盖率的钨膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积.pdfVIP

具有改善的底部覆盖率的钨膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积.pdf

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使用HiPIMSPVD工艺形成膜层的方法包括以下步骤:在工艺腔室的处理区域中向基板提供偏压,基板包含表面特征且工艺腔室的处理区域包括溅射靶;将至少一个能量脉冲输送到溅射靶,以在处理区域中产生溅射气体的溅射等离子体,所述至少一个能量脉冲在小于5kHz且大于100Hz的频率下具有在约600伏特与约1500伏特之间的平均电压和在约50安培与约1000安培之间的平均电流;和朝向溅射靶引导溅射等离子体,以形成离子化的物种,所述物种包含从溅射靶溅射的材料,所述离子化的物种在基板的特征中形成具有改善的底部覆

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112513316 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 201980051367.7 乔斯林甘 ·罗摩林甘 

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