一种GaN HEMT BCB介质双层栅制作方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种GaN HEMT BCB介质双层栅制作方法.pdf

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本发明公开了一种GaNHEMTBCB介质双层栅制作方法，属于半导体技术领域，包括如下步骤：在晶圆表面采用金属剥离工艺制作源漏欧姆接触电极，在晶圆表面旋涂BCB介质；经光刻后显影、高温固化形成BCB介质层，完成栅根制作；晶圆经过灰化、清洗后，在晶圆表面旋涂两层电子束光刻胶，两层电子束光刻胶具有不同灵敏度；通过电子束曝光进行T型栅光刻，显影后形成T型栅双层结构；利用电子束蒸发设备，在晶圆表面蒸发栅极金属；BCB介质剥离工艺剥离晶圆表面其他位置的光刻胶完成双T型栅制作，通过选用BCB介质的双T型栅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799059 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202310084466.3 (22)申请日 2023.02.09 (71)申请人徐州金沙江半导体有限公司地址 2