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2023-05-31 发布于四川
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一种基于图案化衬底的有机场效应晶体管制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于图案化衬底的有机场效应晶体管制备方法，过程为：取硅片，清洗后，通过光刻胶对硅片进行匀胶；通过掩膜版进行曝光，再通过显影液进行显影，随后进行清洗，坚膜，干燥得到显影样片；配置刻蚀液，将显影样片放置于刻蚀液中，摇晃显影样片，20s后取出片子，冲洗，然后再用氮气枪吹干，得到刻蚀样片；将刻蚀样片置于装有AZ去胶液的试管中，清洗，并烘干，得到硅衬底；将HMDS溶液均匀铺到硅衬底上，并通过真空沉积设备蒸镀并五苯有源层；对蒸镀有并五苯有源层的硅衬底制备源漏电极和栅电极，得到有机场效应晶体管

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112490362 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011254599.3 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人西安理工大学地址

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