一种氧化钨基陶瓷靶材材料的冷等静压成型制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种氧化钨基陶瓷靶材材料的冷等静压成型制备方法.pdf

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本发明涉及一种氧化钨基陶瓷靶材材料的冷等静压成型制备方法，包括以下步骤：原料准备：包含高纯氧化钨和掺杂源粉体的一次混合粉体，掺杂源选自Ti、Mo、V、Al、Li、Zr中的至少三种，所述混合粉体的纯度大于99.95％，平均粒径500nm‑1800nm，D50粒径在200‑750nm；M1、M2、M3、M4、M5的数量关系符合公式：喷雾干燥、装粉振实、压制、素坯脱胶、烧结；保温结束取出烧坯；根据需要进行或不进行机加工。本发明的冷等静压成型制备方法能制备得到导电性良好、纯度较高、晶粒尺寸细小、致密度高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112479707 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011266668.2 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人北京航大微纳科技有限公司

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