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本发明涉及半导体老化测试技术领域，公开了一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，包括：持续采集一段时间内所述半导体器件的至少一个性能参数；监测至少一个所述性能参数的数值变化；根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态。本发明通过监测半导体器件一种或多种性能参数的组合的数值变化，能够及时监测和确认老化完成的时间点，有效缩短了老化测试的时间，进而提高了产品的质量且降低了测试成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112505519 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202011325101.8 (56)对比文件
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