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- 2023-06-01 发布于四川
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实施方式提供一种提高存储单元晶体管中写入的数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1至第4存储单元晶体管、第1及第2位线BLprog及BLinh、第1至第3选择栅极线SGDsel、SGDusel及SGS、第1及第2字线WLsel及WLusel、以及控制器。控制器在程序循环中,依次执行编程动作、恢复动作、及验证动作。控制器在恢复动作的第1时刻,对第1选择栅极线施加第1电压VSGD,对第3选择栅极线施加低于第1电压的第2电压VSS,对第1位线施加第1电压与第2电压之间的第3电压V
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530493 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202010661901.0
(22)申请日 2020.07.10
(30)优先权数据
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