分栅快闪存储器及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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分栅快闪存储器及其形成方法.pdf

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本发明提供一种分栅快闪存储器及其形成方法，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，在形成浮栅的同时形成了浮栅尖端，整个过程并没有增加工艺步骤，同时，新增的浮栅尖端增强了存储单元的擦除能力，大幅度提高了电流Ir1的数值，降低了擦除时擦除栅上的擦除电压，从而降低了读操作干扰，以及低电压读操作的分栅式闪存的静态功耗和动态功耗。另外还使得后续工艺形成的源线仅影响擦除效率，并不会对沟道产生影响，有助于改善存储单元的耐久度特性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530956 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011264165.1 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司