一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法.pdf

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本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是适用于脉冲功率领域的一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要通过改进常规MOS栅控晶闸管的器件结构，在栅极与阴极之间引入寄生二极管，避免了MOS栅控晶闸管应用于脉冲功率领域时因栅介质击穿导致脉冲系统发生失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致器件失效的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112563326 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202011463075.5 H01L 21/332 (2006.01) (22)申请日 2020.1