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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部和横跨鳍部的伪栅结构；在所述衬底上形成介质层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成开口；在所述开口暴露出的所述鳍部的侧壁和顶部形成栅介质层；在所述栅介质层上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成氟离子层。本发明利用氟离子层中的易扩散的氟离子与鳍部中的硅元素之间形成F‑Si键，形成的F‑Si键将栅介质层牢固的结合在鳍部的侧壁和顶部，从而使得栅介质层的可靠性增强，使得半导体器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563127 A
(43)申请公布日
2021.03.26
(21)申请号 20191
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