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本发明公开了一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件,包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属,沟道层和势垒层构成异质结,源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上;还包括若干p型氮化物结构,所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布,所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触。本发明还公开了上述具有复合漏极结构的氮化物功率器件的制作方法。本发明于漏极引入p型氮化物结构,且漏极金属与p型氮化物结构形成欧姆接触,通过正向偏置时空穴注入,降低沟道电阻,提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112531020 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202011180879.4 H01L 21/335 (2006.01)
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