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铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法.pdfVIP

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法.pdf

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    本发明提供一种铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在支撑晶圆上依次制备介质层和铌酸锂薄层；对介质层与铌酸锂薄层之间的键合界面进行缺陷检测；分析并记录二维尺寸大于预先设定值的缺陷的位置；在缺陷的周围设置隔离槽，隔离槽在周向上包围缺陷，隔离槽的深度大于或等于铌酸锂薄层的厚度。通过该制作方法制作的铌酸锂单晶薄膜芯片不仅能够有效地防止缺陷的扩大和扩散，而且能够有效地释放大片铌酸锂薄层在晶圆上的应力积累。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112538610 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011415347.4 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人 珠海光库科技股份有限公司

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