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实施方式提供一种能够实现可靠性提升的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有积层体、第1群的多个柱状体、第2群的多个柱状体、及绝缘膜。所述第2群的多个柱状体是相对于所述第1群的多个柱状体配置在第2方向上。所述绝缘膜在所述积层体内以所述第2方向延伸。所述绝缘膜在与所述第2方向交叉的第3方向上分隔所述积层体。所述绝缘膜包含第1部分、第2部分、及第3部分。所述第1部分在所述第3方向上与所述第1群的多个柱状体相邻。所述第2部分在所述第3方向上与所述第2群的多个柱状体相邻。所述第3部分存在于所述第1部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530957 A
(43)申请公布日
2021.03.19
(21)申请号 20201
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