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一种用于SRAM元件的电压位准偏移器包括位准偏移器输入并提供第二电压位准。电压输入端子接收处于第一电压位准的第一信号,并且反相器具有输入端和输出端,其中该电压输入端子连接到反相器输入端。当互补位准偏移输出电压的电压上升到逻辑1时,第一电压选择器选择性地施加中间电压到第一互补对中的PMOS晶体管的栅极,并且当位准偏移输出电压节点的电压上升到逻辑1时,第二电压选择器施加该中间电压到第二互补对中的PMOS晶体管的栅极。由此减小了PMOS晶体管的电流,从而导致较低的能量耗散并支持第一和第二电压位准之间更
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530480 A
(43)申请公布日
2021.03.19
(21)申请号 20201
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