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本发明公开了一种异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件，其中，异质结结构的制作方法包括：提供一具有原子台阶形貌的GaN衬底，在GaN衬底的表面上生长石墨烯层；其中，将GaN衬底的原子台阶的宽度设置为大于60nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有欧姆接触特性的异质结结构；或者是，将所述GaN衬底的原子台阶的宽度设置为小于20nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有肖特基接触特性的异质结结构。本发明方便了石墨烯/GaN异质结结构的使用。本发明的电极结构和电子器件均采用了通过上述制作方法来制作
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542380 A
(43)申请公布日
2021.03.23
(21)申请号 20191
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