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描述了具有金属氧化物帽盖结构的有源栅极上方接触部。在示例中，一种集成电路结构包括衬底上方的多个栅极结构，栅极结构中的每个在其上包括栅极绝缘层。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替，导电沟槽接触结构中的每个在其上包括金属氧化物帽盖结构。层间电介质材料在多个栅极结构上方并且在多个导电沟槽接触结构上方。开口在层间电介质材料中并且在多个栅极结构中的对应的一个的栅极绝缘层中。导电过孔在开口中，导电过孔与多个栅极结构中的对应的一个直接接触，并且导电过孔在金属氧化物帽盖结构中的一个或多个的一部分上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542455 A
(43)申请公布日
2021.03.23
(21)申请号 20201
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