半导体装置的制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约4.92万字
约 48页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

半导体装置的制造方法.pdf

1、本文档共48页，其中可免费阅读47页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种具有负电容介电结构的半导体装置结构以及上述半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法包括：形成一鳍部结构于一基底上，鳍部结构具有一鳍部基体部及一鳍部顶部；形成一间隙壁结构于鳍部顶部的一第一区域内，其中间隙壁结构包括第一负电容介电材料；以及形成一栅极结构于鳍部顶部的一第二区域上，其中栅极结构包括一栅极介电层，栅极介电层具有不同于第一负电容介电材料的一第二负电容介电材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530809 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010825057.0 H01L 21/8238 (2006.01)