原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种SU‑8胶紫外光背面光刻工艺的二维光强分布模拟方法，步骤1：将需要进行光强分布模拟的光刻仿真区域进行空间离散，细分成网格组成的二维阵列；步骤2：将整个光刻仿真区域沿水平方向划分成若干矩形薄层；步骤3：对每一矩形薄层分别建立麦克斯韦方程，并对麦克斯韦方程进行分离变量得到一个特征值问题，然后将每一矩形薄层中的材料参数和电磁场用傅里叶级数展开，通过数值求解特征值问题得到每一矩形薄层中的电磁场分布情况；步骤4：根据连续性条件施加电磁场边界条件将每一矩形薄层耦合起来，求得光在透过掩模版后的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112558428 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011470885.3
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 东南大学
地址 21
文档评论（0）