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本发明提供一种半导体工艺设备,包括上电极组件、工艺腔室以及功率调整组件,工艺腔室中设置有用于承载待加工件的卡盘,其中,上电极组件用于在工艺腔室中激发等离子体;功率调整组件用于检测卡盘上表面的偏置电压,并在偏置电压与目标偏置电压的差值大于等于预设阈值时,根据差值调节上电极组件的功率,直至该差值小于预设阈值。本发明提供的半导体工艺设备能够提高半导体工艺中等离子体离子密度的准确性,进而提高不同工艺腔室之间的工艺一致性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530773 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202011358299.X
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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