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具有新颖虚设沟道结构的三维NAND存储器器件.pdfVIP

具有新颖虚设沟道结构的三维NAND存储器器件.pdf

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    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括在垂直于该半导体器件的衬底的竖直方向上交替布置的字线层和绝缘层的堆叠体。该堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域。该半导体器件包括虚设沟道结构，该虚设沟道结构在竖直方向上延伸穿过堆叠体的第一阶梯区域中的字线层和绝缘层。字线层中的至少一个的位置比与字线层中的该至少一个相邻的绝缘层更加远离虚设沟道结构的中心轴。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112543996 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202080003300.9 H01L 27/1157 (2017.01)

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