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一种高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法.pdfVIP

一种高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法.pdf

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    本发明属于光催化技术领域，尤其涉及一种高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法。以FTO导电玻璃作为基底浸至BiOI的沉积液中，通过电化学沉积于基体形成BiOI薄膜，而后通过点涂及退火法使基体表面薄膜形成纯BiVO4膜；将上述基底浸泡至含硝酸铋，钼酸钠的沉积液中通过水热法制得Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系。本发明BMO@BVO异质结光电极体系中Bi2MoO6包覆在BiVO4上与BiVO4接触良好并形成II异质结。BMO@BVO‑2在AM1.5G(100mW·c

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112538638 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202011305018.4 C25B 11/075 (2

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