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本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法，该方法在无箔二极管中应用斜面阴极，并将其完全浸没在均匀轴向磁场中；斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构，斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行，前斜面与二极管轴线之间的夹角为θ1，后斜面与二极管轴线之间的夹角为θ2，平顶段与直段之间的垂直距离为斜面阴极半径最大增加量R，在保证阴极引杆上电场强度小于400kV/cm的条件下，通过增大斜面阴极半径最大增加量R实现电子束回流抑制。本发明通过在无箔二极管中应用斜面阴极，斜面阴极完全浸
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563094 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011449225.7
(22)申请日 2020.12.09
(71)申请人 西北核技术研究所
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