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本发明公开了一种多孔氮化镓基室温气体传感器的制备方法,该传感器所用氮化镓薄膜可通过金属有机物化学气相沉积和氢化物气相外延法生长于蓝宝石衬底上,表面经金属催化化学腐蚀法获得孔径可调的纳米微孔,随后经1,2‑乙二硫醇(EDT)钝化处理后,利用物理沉积法在表面负载高分散铂(Pt)纳米颗粒。经该方法处理的材料具有比表面积大、活性中心稳定、传质通道多,而且成本较低,易于批量制备等优点。该基于以铂纳米粒子修饰的硫化物钝化多孔GaN材料半导体传感器,可以在室温温区同时检测H2,H2S和C2H4等多种气体,H2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112525954 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202011394318.4
(22)申请日 2020.12.02
(71)申请人 西安交通大学
地址
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