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一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

一种半导体器件及其制造方法.pdf

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    一种半导体器件包括：栅极结构、源极/漏极、设置在栅极结构和源极/漏极上方的第一通孔，并且第一金属线在截面图中具有比第一通孔更高的垂直位置。第一通孔电连接至栅极结构和源极/漏极。第一金属线和第一通孔均沿第一方向延伸。在不同于第一方向的第二方向上，金属线与第一通孔分隔开第一距离。第一金属线包括在第二方向上向外突出的突起部分。本发明实施例还提供了一种半导体器件的制造方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530949 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20201

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