1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种高可靠共浮栅型nFLASH单元结构.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 12页
  • 2023-06-01 发布于四川
  • 举报

一种高可靠共浮栅型nFLASH单元结构.pdf

    本发明公开一种高可靠共浮栅型nFLASH单元结构，属于微电子集成电路领域，包含1个nMOS选通管，1个nFLASH编程/擦除管T2和1个nFLASH信号传输管T3。nMOS选通管T1的源端与nFLASH编程/擦除管T2的漏端相连；nMOS选通管T1的控制栅SG与nFLASH编程/擦除管T2的控制栅CG独立控制，分别施加不同电位。nFLASH编程/擦除管T2与述nFLASH信号传输管T3共享浮栅多晶层与控制栅多晶层，实现了nFLASH编程/擦除管T2对nFLASH信号传输管T3的控制，同时通过增加

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116189740 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202211590047.9 (22)申请日 2022.12.12 (71)申请人 中国电子科技集团

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >