一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，包括：选取晶向的Si衬底；在Si衬底的上表面形成第一Ge缓冲层；在第一Ge缓冲层的上表面形成n+Ge层；在n+Ge层上表面的第一区域内形成n‑Ge层；在n‑Ge层内形成倒梯形的凹槽，倒梯形的斜边与法线夹角为40～60°；在倒梯形的凹槽内形成第一电极，并在n+Ge层上表面的第二区域形成第二电极。本发明选用高电子迁移率的晶向Ge，设置凹槽增加金半接触面积，降低SBD串联电阻，提高整流效率；凹槽侧边为晶向，增大了金半接触

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563135 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011467451.8 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人西安