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一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法。本发明属于辐照屏蔽材料及其制备领域。本发明的目的是为解决现有辐照屏蔽材料较厚而使航天器负载过重以及传统共混体系涂层的功能填料分散不均匀所导致抗辐照性能低下的技术问题。本发明的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料由树脂侨联层和功能金属层交替堆叠而成,最外层为功能金属层。制备方法:一、通过热喷涂,分段固化,制备树脂侨联层;二、采用磁控溅射技术,以稀土金属元素为靶材,在步骤一的树脂侨联层上镀覆功能金属层;三、交替重复10~30次,使防护材料最外层为功能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112530618 B
(45)授权公告日 2021.07.16
(21)申请号 202011346447.6 审查员 卑晓峰
(22)申请日 2020.11.26
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