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本发明公开了一种铜化学机械研磨方法中，在对晶圆上的铜层进行化学机械研磨之前或之后，进行研磨垫清洗工艺以去除研磨垫上积累的研磨副产物，研磨垫清洗工艺包括：步骤11、进行正甲基比喀酮和去离子水的混合并形成混合液。步骤12、将混合液流入到研磨垫，混合液中的正甲基比喀酮和研磨副产物反应使研磨副产物脱离研磨垫从而实现研磨副产物去除。本发明还公开了一种铜化学机械研磨设备。本发明能很好的去除积累在研磨垫上的研磨副产物并从而提高研磨速率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112518571 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202011361410.0
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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