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本发明公开了一种非易失型闪存上电参数检查方法、装置、存储介质和终端，在芯片上电前，通过脚本文件提取测试用例的上电参数和芯片中默认配置的上电参数进行对比，判断测试用例与芯片是否存在逻辑互斥导致上电失败情况，以代替原来通过仿真波形判断上电参数存在逻辑互斥导致上电失败的情况，在芯片实际上电之前检查排除测试用例发送的非法上电参数，若脚本文件处理结果存在逻辑互斥，则需重新在测试用例中定义与芯片不存在逻辑互斥的上电参数方可进行正常上电工作，以解决芯片在上电过程中上电参数的配置错误导致上电失败、人为查看仿真波
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112542200 B
(45)授权公告日 2021.09.21
(21)申请号 202011614386.7 (51)Int.Cl.
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