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2023-06-02 发布于四川
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一种双MOS管测试方法.pdf

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本发明公开了集成电路领域内的一种双MOS管测试方法，包括以下步骤：1）测试R_gate；2）测试Ist；3）测试Iburst、Iquiet、Iop；4）测试Vgate_clamp；5）测试VDD_OVP；6）测试VDD_Clamp；7）测试Fosc；8）测试f_ocp；9）测试Vfb_open；10）测试Ifb_short；11）测试Vol；12）测试Voh；13）测试VDD_UVLO，本发明可精确测测待测芯片的各项性能，且测试方便快捷，提高芯片生产的效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112578254 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011422216.9 (22)申请日 2020.12.08 (71)申请人葛正宏地址 225

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